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納克微束—半導體失效分析解決方案2024-03-29

方案簡介:

半導體器件生產(chǎn)過程中,缺陷的存在會不同程度影響產(chǎn)品質(zhì)量,例如關(guān)鍵位置的金屬類夾雜可能會引發(fā)器件的短路,清洗溶液不純凈引入的有機、無機析出物可能會導致光刻、離子注入、沉積等環(huán)節(jié)的失敗,進而引發(fā)晶圓圖形與設計不符等問題。因此,晶圓生產(chǎn)制造過程需要對缺陷進行實時監(jiān)控,并對大量重復出現(xiàn)的缺陷進行分析溯源,以快速明確夾雜、缺陷的來源,從而控制調(diào)整相關(guān)工藝,穩(wěn)定產(chǎn)品質(zhì)量。

納克微束FE-1050熱場發(fā)射型掃描電鏡,具有在1kV落點電壓(減速電場)下1.5nm的極限分辨能力,可以對電子束敏感類材料直接成像,最小化對樣品的電子輻照損傷。

FE-1050系列掃描電鏡具有寬大的主腔室和五軸樣品臺,最大可進入φ300mm*50mm尺寸的樣品,整個系統(tǒng)提供多達27個探測器接口,最大程度為用戶觀察分析提供便利??筛鶕?jù)用戶使用場景,做高速采集升級改造,改造后的掃描速度可達到常規(guī)掃描電鏡的50-100倍,更適用于大面積連續(xù)掃描成像和缺陷自動分析場景。

同時,還可為有特殊缺陷檢測需求的用戶提供定制化的算法外包開發(fā)服務,包括但不限于傳統(tǒng)機器視覺、深度學習型機器視覺等類型的服務。定制化服務形式靈活,開發(fā)周期可根據(jù)用戶產(chǎn)品更迭和產(chǎn)能情況及時調(diào)整。


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